半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 本多 正治; 庄野 昌幸; 池上 隆俊; 別所 靖之; ▲広▼山 良治; 賀勢 裕之 |
| 发表日期 | 1996-07-12 |
| 专利号 | JP1996181385A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 信頼性が高く且つ低消費電力の半導体レーザ素子を提供することが目的である。 【構成】 n型GaAs半導体基板1と、この基板1の一主面上に形成されたn型クラッド層3と、このn型クラッド層3上に形成され量子井戸層5aと量子障壁層5bとが交互に積層されてなる量子井戸構造を有する活性層5と、この活性層5上に形成されたp型のクラッド層9,10を備え、量子井戸層5aが圧縮歪みを有し、且つ基板1の前記一主面が{100}面から方向に9度以上17度以下に傾斜した面であり、且つ共振器長が150μm以上300μm以下である。 |
| 公开日期 | 1996-07-12 |
| 申请日期 | 1994-12-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77355]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 本多 正治,庄野 昌幸,池上 隆俊,等. 半導体レーザ素子. JP1996181385A. 1996-07-12. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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