半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 福永 敏明; 原田 明憲 |
| 发表日期 | 2000-11-02 |
| 专利号 | JP2000307197A |
| 著作权人 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 幅広半導体レーザ装置において、横モードが制御された、1%以下の低雑音な高出力発振を実現する。 【解決手段】 有機金属気相成長法により、n-GaAs基板1上にn-Ga1-z1Alz1As下部クラッド層(0.55≦z1≦0.7)2、i-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2下部光導波層(x2≒0.49y2、0.8≦y2≦1、厚さdb=75〜200nm)3、Inx3Ga1-x3As1-y3Py3量子井戸活性層(0≦X3≦0.4、0≦y3≦0.6)4、i-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2上部光導波層(x2≒0.49y2、0.8≦y2≦1、厚さdb=75〜200nm)5、p-Ga1-z1Alz1As上部クラッド層6、p-GaAsコンタクト層7をこの順に積層し、その後リッジストライプを形成する。その上に絶縁膜9を形成し、電極窓を形成した後、p側電極10、n側電極11を形成し、半導体レーザ素子を作成する。 |
| 公开日期 | 2000-11-02 |
| 申请日期 | 1999-04-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77359]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士写真フイルム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福永 敏明,原田 明憲. 半導体レーザ装置. JP2000307197A. 2000-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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