半導体発光装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 穴山 親志; 近藤 真人; 棚橋 俊之; 古谷 章; 菅野 真実 |
| 发表日期 | 1993-03-26 |
| 专利号 | JP1993075204A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体発光装置及びその製造方法に関し,低しきい値電流,高効率,高出力の可視光半導体レーザ装置の提供を目的とする。 【構成】 第1のメサストライプ構造1aを有する化合物半導体基板1と, 化合物半導体基板1上に順に積層された下部クラッド層4,活性層5,上部クラッド層6,8aと, 上部クラッド層8aの両側に配設された上部電流ブロック層11とを有する半導体発光装置であって, 活性層5は平坦部とそれにつづいて両側に傾斜部を有し, 上部クラッド層6, 8aは活性層5の平坦部上部に第2のメサストライプ構造8aを有し, 上部電流ブロック層11は第2のメサストライプ構造8aの両側に配設されている構造を有する半導体発光装置により構成する。また,上記の構造に加えて,第1のメサストライプ構造1aの両側に下部電流ブロック層2aが配設された構造を有する半導体発光装置により構成する。 |
| 公开日期 | 1993-03-26 |
| 申请日期 | 1991-09-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77361]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 穴山 親志,近藤 真人,棚橋 俊之,等. 半導体発光装置及びその製造方法. JP1993075204A. 1993-03-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。