半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 岡田 直子; 穴山 親志 |
| 发表日期 | 1999-04-23 |
| 专利号 | JP1999112075A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ装置及びその製造方法に関し、MOVPE法に依る1回成長の利点、即ち、高製造歩留り及び低価格の利点を維持したまま、屈折率導波に依る横モード閉じ込め効果に利得導波に依る横モード閉じ込め効果を付加できるようにし、安定な横モード制御を実現させようとする。 【解決手段】 層数が複数に分割されたn側クラッド層2内に介在して主面領域並びに主面と異なる面方位をもつと共に主面と異なる不純物取り込み率をもつ斜面領域からなる光吸収量が大きい光吸収層8(主面領域)及び光吸収量が小さい光吸収層9(斜面領域)を含んでいる。 |
| 公开日期 | 1999-04-23 |
| 申请日期 | 1997-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77372]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡田 直子,穴山 親志. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1999112075A. 1999-04-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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