半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 平本 清久; 佐川 みすず; 豊中 隆司 |
| 发表日期 | 1997-12-16 |
| 专利号 | JP1997326526A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】高出力半導体レーザの端面をレーザ光に対して透明化し、素子の高信頼度化を実現する。 【解決手段】第一の導電性を有する半導体基板上に形成された第一の導電性を有するクラッド層,量子井戸構造を有する活性層,第二の導電性を有するクラッド層,第二の導電性を有するクラッド層により形成されたリッジからなる半導体レーザ装置において、リッジをレーザ端面から離間させて形成し、リッジ及びその近傍以外の活性層、及びレーザ端面部の活性層の量子井戸構造を混晶化し、又は活性層の超格子を無秩序化する。混晶化、又は無秩序化にはZn,SiやSeの拡散、又はH,As,P,Ga,Zn,Se、又はSiイオン又は原子のインプランテーションを用いる。 |
| 公开日期 | 1997-12-16 |
| 申请日期 | 1996-06-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77374]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平本 清久,佐川 みすず,豊中 隆司. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1997326526A. 1997-12-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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