半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 野一色 慶夫 |
| 发表日期 | 1993-05-25 |
| 专利号 | JP1993129718A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 端面近傍で電流を流さず、かつ活性層の段差をなくすことにより長寿命を有する半導体レーザを提供する。 【構成】 P型半導体基板1の上に順次、N型電流阻止層2と、前記半導体基板1に達するストライプ溝3を有するP型クラッド層4と、活性層5と、N型クラッド層6と、N型コンタクト層7を形成する。そして端面近傍の前記コンタクト層7の表面から前記N型クラッド層6の略中間の深さまでの範囲に於て、イオン注入によりP型反転した又はプロトン照射により高抵抗化した電流管理層8を形成する。 |
| 公开日期 | 1993-05-25 |
| 申请日期 | 1991-11-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77411]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野一色 慶夫. 半導体レーザ. JP1993129718A. 1993-05-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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