半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大久保 伸洋; 斉藤 肇 |
| 发表日期 | 2000-08-11 |
| 专利号 | JP2000223778A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 層厚のウェハ面内分布が存在しても、安定したリッジストライプ幅の制御を可能とする。 【解決手段】 第一導電型の基板上に、第一導電型の第一クラッド層、活性層、第二導電型の第二クラッド層、第二導電型の第三クラッド層にリッジ状のストライプを有し、該リッジストライプの開口を有する第一導電型の電流狭窄層を有する半導体レーザにおいて、前記第三クラッド層のリッジストライプの側面が、(111)面方位と(1-1-1)面方位とにより挟まれている領域、及び(111)面方位と(111)面方位とにより挟まれている領域と、を有してなることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2000-08-11 |
| 申请日期 | 1999-01-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77437]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 伸洋,斉藤 肇. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP2000223778A. 2000-08-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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