半導体レーザの製法
文献类型：专利
| 作者 | 井川 克彦; 股木 宏至 |
| 发表日期 | 1995-02-21 |
| 专利号 | JP1995050445A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製法 |
| 英文摘要 | 【目的】 動作電流が低く、信頼性の高い半導体レーザを量産性良く、かつ、高歩留りでうる製法を提供する。 【構成】 MBE装置により第1導電型の半導体基板2の上面に、クラッド層3、5、活性層4および電流ブロック層7を順次積層するにあたり、第1上部クラッド層5と電流ブロック層7とのあいだにGaAsからなるエッチングストップ層6を介在させることにより、電流ブロック層7のストライプ溝11のエッチングの際のストッパにする。このエッチングによって残余したGaAs層をMBE装置内にて蒸発させることにより除去し、第1上部クラッド層5に達するストライプ溝11を形成する。そして、再度MBE法によって第2上部クラッド層8などを形成する。 |
| 公开日期 | 1995-02-21 |
| 申请日期 | 1993-08-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77443]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井川 克彦,股木 宏至. 半導体レーザの製法. JP1995050445A. 1995-02-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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