半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 石谷 善博; 皆川 重量; 田中 俊明; 濱田 博 |
| 发表日期 | 2005-07-15 |
| 专利号 | JP3699753B2 |
| 著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 可視光レーザ素子の高温特性が向上し、従来より高温で使用可能な半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 活性層近傍のPクラッド側に、Al組成yが0.8〜0.95の(AlyGa1-y)0.5In0.5Pと同等のΓ点のエネルギー間隙を有し、圧縮歪が加えられたAlGaInP結晶Aからなる障壁層をクラッド層中にもち、量子井戸活性層を構成する障壁層が0.4〜0.55のyをもつ(AlyGa1-y)0.5In0.5Pと同等のΓ点のエネルギー間隙で、圧縮歪が加えられたAlGaInP結晶により構成される。さらに活性層近傍に上記結晶A単層、または結晶Aとクラッド層に用いられる(AlyGa1-y)0.5In0.5P結晶Bから構成されるA/Bの周期構造からなる障壁層を設け、その外側のクラッド層のうちP型のもののyが0.6未満であり、基板にほぼ格子整合する(AlyGa1-y)0.5In0.5Pとなっている。 |
| 公开日期 | 2005-09-28 |
| 申请日期 | 1995-08-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77449]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石谷 善博,皆川 重量,田中 俊明,等. 半導体レーザ装置. JP3699753B2. 2005-07-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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