半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 福久 敏哉; 萬濃 正也; 吉川 昭男 |
| 发表日期 | 2004-02-20 |
| 专利号 | JP3521793B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 埋込再成長を行う際に結晶成長しない部分を生じにくくして半導体レーザの導波損失を小さくする。 【解決手段】 n型GaAs基板1の上に、n型GaAsバッファ層2、n型クラッド層3、活性層4、p型クラッド層5、n型のAl0.5In0.5Pからなる第1電流ブロック層13、n型のAl0.5In0.5Pからなる第2電流ブロック層14を順次形成し、選択的に第1電流ブロック層13および第2電流ブロック層14をストライプ状にエッチングした上部に、p型埋込層7とコンタクト層8とキャップ層9とを順次形成する。キャップ層9の上にp電極10、n型GaAs基板1の裏面にn電極11をそれぞれ形成する。第1電流ブロック層13のキャリア濃度は1×1017cm-3以下であり、第2電流ブロック層14のキャリア濃度は1×1018cm-3である。 |
| 公开日期 | 2004-04-19 |
| 申请日期 | 1999-03-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77455]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福久 敏哉,萬濃 正也,吉川 昭男. 半導体レーザの製造方法. JP3521793B2. 2004-02-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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