半導体レーザ素子およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 紀川 健; 佐川 みすず; 平本 清久; 野本 悦子; 豊中 隆司; 魚見 和久 |
| 发表日期 | 2006-02-24 |
| 专利号 | JP3774503B2 |
| 著作权人 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 従来の高出力半導体レーザでは、定光出力連続動作に伴って動作電流の急激な増加が生じ、十分な寿命時間を有する高信頼な半導体レーザを得ることができなかった。 【解決手段】 半導体レーザの光出射面の保護膜として少なくともその一部に窒化物層を含む絶縁物を形成する。保護膜形成前に自然酸化膜を除去すると更に有効である。 【効果】 本発明により、高出力半導体レーザにおいて長寿命化、高信頼化を容易な方法で実現し、歩留まり向上、低コスト化を実現した。 |
| 公开日期 | 2006-05-17 |
| 申请日期 | 1996-04-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77465]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本オプネクスト株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 紀川 健,佐川 みすず,平本 清久,等. 半導体レーザ素子およびその製造方法. JP3774503B2. 2006-02-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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