半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 宮下 宗治; 島 顕洋; 竹見 政義 |
| 发表日期 | 2008-06-19 |
| 专利号 | JP2008140887A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】7°以上オフしたGaAs基板上に形成しても、偏光角が0に近く、偏光比が大きいリッジ型構造の半導体レーザを得る。 【解決手段】本発明に係る半導体レーザは、7°以上オフしたGaAs基板上に順次形成された、下クラッド層と、活性層と、上クラッド層とを有するリッジ型構造の半導体レーザにおいて、活性層はAlGaAsからなり、下クラッド層及び上クラッド層は、Pの組成比が0より大きく0.04以下のAlGaAsPからなる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-06-19 |
| 申请日期 | 2006-11-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77467]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮下 宗治,島 顕洋,竹見 政義. 半導体レーザ. JP2008140887A. 2008-06-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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