半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中村 幸治; 大柴 小枝子; 堀川 英明 |
| 发表日期 | 1999-03-09 |
| 专利号 | JP1999068222A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 複雑な製造プロセス及び出力レベルの低下を改善した半導体レーザの製造方法を提供する。 【解決手段】 基板21上の全面にグレーティング22を形成する。グレーティング22上に、導波路層23、活性層24、及び保護層25を順次成長させ、グレーティング22を埋め込む。保護層25上のレーザ部形成予定領域Aに島状エッチング用マスク26を形成し、該島状エッチングマスク26以外の領域を異方性エッチングすることにより、保護層25、活性層24、及び導波路層23を除去する。更に、この時、グレーティング22もエッチングし、レーザ部形成予定領域A以外を平坦にする。この異方性エッチングを行うと、活性層24の端面がサイドエッチングされないので、変調器部形成予定領域Mと活性層24との結合状態が良好になる。その後、通常のプロセスで半導体レーザを製造する。 |
| 公开日期 | 1999-03-09 |
| 申请日期 | 1997-08-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77469]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中村 幸治,大柴 小枝子,堀川 英明. 半導体レーザの製造方法. JP1999068222A. 1999-03-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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