半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 杉浦 勝己 |
| 发表日期 | 1995-11-28 |
| 专利号 | JP1995312464A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 クラッド層と電極との間のオーミック性を高め,注入電流の拡がりを抑制した電流狭窄構造を提供する。 【構成】 1)半導体基板 1上に順に積層された一導電型クラッド層 2,活性層3,反対導電型クラッド層 4を有し,電流注入領域以外の該反対導電型クラッド層 4が高抵抗化されてなる半導体発光素子,2)半導体基板 1上に一導電型クラッド層 2,活性層 3,反対導電型クラッド層4を順に積層し,該反対導電型クラッド層上の電流注入領域以外の領域に該反対導電型クラッド層を高抵抗化する不純物を含む半導体からなるキャップ層 8を形成し,該半導体基板に加熱処理を行って該不純物を該反対導電型クラッド層に拡散して高抵抗化領域(4A)を形成する過程を有する。 |
| 公开日期 | 1995-11-28 |
| 申请日期 | 1994-05-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77474]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杉浦 勝己. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1995312464A. 1995-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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