半導体光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 満原 学; 杉浦 英雄; 伊賀 龍三 |
| 发表日期 | 1995-09-26 |
| 专利号 | JP1995249575A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 素子抵抗が小さく、光損失が小さい半導体光素子の製造方法を提供する。 【構成】 V族原料に水素化合物を用いる有機金属分子線エピタキシー法(MOMBE)およびガスソース分子線エピキシー法(GSMBE法)を用いて、ベリリウムをドープしたp型InPクラッド層6を形成する際、V族原料であるホスフィンの供給量を段階的に変化させることによりベリリウムのドープ量を制御する。 |
| 公开日期 | 1995-09-26 |
| 申请日期 | 1994-03-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77509]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 満原 学,杉浦 英雄,伊賀 龍三. 半導体光素子の製造方法. JP1995249575A. 1995-09-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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