半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 持田 篤範; 長谷川 義晃 |
| 发表日期 | 2009-12-17 |
| 专利号 | JP2009295761A |
| 著作权人 | PANASONIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】デバイス特性の向上を実現することを目的とする。 【解決手段】半導体レーザ素子において、出射端面近傍に基板材料と屈折率差の大きい誘電体材料を設け、同時に、出射端面近傍以外に基板材料と同程度に高い屈折率を有する誘電体を設けることにより、大きな水平広がり角、すなわち低アスペクト比のFFPを実現できると共に高いキンクレベルを実現できる。また、出射端面近傍のリッジ導波路112上面に誘電体材料を設けることにより、端面破壊レベルの向上を実現できる。さらに、出射端面近傍のリッジ導波路112上面に電極を備えることにより、局部的な乱れが低減されたFFP形状を実現することが可能となる。このように、デバイス特性の向上を実現することが可能となる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-12-17 |
| 申请日期 | 2008-06-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77513]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PANASONIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 持田 篤範,長谷川 義晃. 半導体レーザ素子. JP2009295761A. 2009-12-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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