半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 中野 一志; 戸田 淳 |
| 发表日期 | 1998-09-02 |
| 专利号 | JP1998233554A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 特性の安定化を図ることができ、しかも長寿命のII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 ZnCdSe層を活性層、ZnSSe層を光導波層、ZnMgSSe層をクラッド層とするSCH構造の半導体レーザにおいて、活性層としてp型ZnCdSe活性層6を用いる。p型ZnCdSe活性層6の有効アクセプタ濃度NA -ND は1×1015cm-3以上1×1018cm-3以下、例えば6×1016cm-3とする。n型ZnSSe光導波層5とp型ZnCdSe活性層6との間にp型ZnSSe光導波層を設けてもよい。このp型ZnSSe光導波層の有効アクセプタ濃度NA -ND は1×1015cm-3以上1×1018cm-3以下、例えば6×1016cm-3とし、厚さは例えば30nmとする。 |
| 公开日期 | 1998-09-02 |
| 申请日期 | 1997-02-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77523]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 一志,戸田 淳. 半導体発光素子. JP1998233554A. 1998-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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