半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小野村 正明; 平山 雄三; 定政 哲雄 |
| 发表日期 | 2001-05-25 |
| 专利号 | JP3192687B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性領域の機械的強度の低下を招くことなく、pn接合に起因する容量及び金属電極とのコンタクト抵抗の低減をはかることができ、高速変調特性に優れた半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】 n型InP基板上11にストライプ状に形成された活性領域15と、この活性領域15上に形成されたp型のInP第1クラッド層13aと、この第1クラッド層13aの上面,側面及び活性領域15の側面に形成されたp型のInP第2クラッド層13bと、この第2クラッド層13bの上面及び側面に形成された、金属電極とのコンタクトを取るためのp型InGaAsコンタクト層14とを具備してなることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2001-07-30 |
| 申请日期 | 1991-07-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77529]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小野村 正明,平山 雄三,定政 哲雄. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP3192687B2. 2001-05-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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