半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 細井 浩行; 牧田 幸治 |
| 发表日期 | 2008-03-21 |
| 专利号 | JP2008066384A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】リッジ部の基板面に対する垂直性及びリッジ部の対称性に優れた構造を持つ半導体レーザ装置において、結晶性が高い電流ブロック層を確実に形成できるようにする。 【解決手段】半導体レーザ装置は、基板102の上に形成されたn型クラッド層103と、n型クラッド層103の上に形成された活性層104と、活性層104の上に少なくとも上部がリッジストライプ状に形成されたリッジ部100を有するp型クラッド層105と、p型クラッド層105のリッジ部100の上に形成されたp型コンタクト層110と、p型クラッド層105におけるリッジ部100の側方に形成され、p型コンタクト層110を露出する開口部107aを有するn型電流ブロック層107とを有している。p型コンタクト層110におけるリッジ部100の長手方向の側面は、該側面の上部から下部に向けて外側に傾斜すると共に、面方位に(111)面を含む結晶面を有している。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-03-21 |
| 申请日期 | 2006-09-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77550]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細井 浩行,牧田 幸治. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2008066384A. 2008-03-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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