窒化物系半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 野村 康彦; 狩野 隆司 |
| 发表日期 | 2006-12-07 |
| 专利号 | JP2006332713A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物系半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】素子の長寿命化を図ることが可能な窒化物系半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】この窒化物系半導体レーザ素子は、n型クラッド層3と、n型クラッド層3上に形成される発光層5と、発光層5上に形成されるp型クラッド層7とを備える。また、発光層5は、光を発生するMQW活性層と、光を閉じ込めるn型光ガイド層54およびp型光ガイド層56と、活性層とn型光ガイド層54およびp型光ガイド層56との間に配置され、それぞれn型光ガイド層54およびp型光ガイド層56よりもバンドギャップの大きいn型キャリアブロック層53およびp型キャリアブロック層55とを含む。 【選択図】図3 |
| 公开日期 | 2006-12-07 |
| 申请日期 | 2006-09-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77559]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野村 康彦,狩野 隆司. 窒化物系半導体レーザ素子. JP2006332713A. 2006-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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