半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小出 典克; 浅見 慎也; 梅崎 潤一; 小池 正好; 山崎 史郎; 永井 誠二 |
| 发表日期 | 1998-05-22 |
| 专利号 | JP1998135514A |
| 著作权人 | 豊田合成株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 超格子構造の発光層の上にクラッド層等の半導体層を形成するとき発光層の最上層にくるバリア層の表面が消失し、当該バリア層が薄くなって発光波長がシフトする。 【解決手段】 第1の半導体層を形成し、該第1の半導体層の上にInY1Ga1-Y1N(Y1≧0)からなるバリア層、InY2Ga1-Y2N(Y2>Y1かつY2>0)からなる量子井戸層を積層して超格子構造の発光層を形成し、該発光層の上に第2の半導体層を形成する半導体発光素子の製造方法において、前記発光層の最上層となる最上バリア層を他のバリア層よりも厚く形成する。そして、第2の半導体層を形成するとき、最上バリア層の上面を消失させてその厚さを他のバリア層の厚さと実質的に同一とする。 |
| 公开日期 | 1998-05-22 |
| 申请日期 | 1996-10-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77569]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 豊田合成株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小出 典克,浅見 慎也,梅崎 潤一,等. 半導体発光素子及びその製造方法. JP1998135514A. 1998-05-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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