半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 藤井 宏明 |
| 发表日期 | 2000-01-21 |
| 专利号 | JP2000022264A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 オフ基板上のAlGaInP系半導体レーザにおいて、パルス成長により活性層周辺のダブルヘテロ構造を結晶成長することにより、点欠陥の導入の少ない高信頼な半導体レーザを提供する。 【解決手段】 結晶表面でのIII族原料種の拡散長を大幅に増大し、空孔などの点欠陥の発生が少ない信頼性の高い半導体レーザが実現するように、オフ基板上、例えば(115)A GaAs基板200上に、III族原料をパルス状に供給するパルス成長を用いたMOVPE結晶成長により、MQW活性層を含むAlGaInP系ダブルヘテロ構造を形成する。 |
| 公开日期 | 2000-01-21 |
| 申请日期 | 1998-06-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77572]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 藤井 宏明. 半導体レーザの製造方法. JP2000022264A. 2000-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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