半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 宇野 智昭; 雄谷 順 |
| 发表日期 | 1994-12-02 |
| 专利号 | JP1994334258A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 多重量子井戸構造を有する半導体レーザ装置に於いて、単位キャリア密度の変化に対する利得増加の割合を大きくして、しきい値電流や温度特性等の直流特性の他に、高周波変調電流に対する応答特性も改善する。 【構成】 11はP型InPクラッド層、12は井戸層と障壁層からなる多重量子井戸構造、13はN型InPクラッド層、14はP型不純物を添加した1%の圧縮歪を導入したIn(x)Ga(1x)As(x=0.7)結晶組成からなる井戸層、15は不純物を意図的には添加しないInGaAsP(λg=2μm)障壁層、16は伝導帯エネルギー、17は価電子帯エネルギー,18はP型不純物添加によるアクセプタである。ここで井戸層14にP型不純物がドープされ、さらに歪を導入されているので、障壁層での不用な発光再結合電流の発生や、障壁層での価電子帯間吸収機構による光学的な損失を被ることなしに、ウエル層での光学利得の増加を図ることができる。 |
| 公开日期 | 1994-12-02 |
| 申请日期 | 1993-05-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77595]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宇野 智昭,雄谷 順. 半導体レーザ装置. JP1994334258A. 1994-12-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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