半導体装置
文献类型:专利
| 作者 | 東郷 仁麿; 若林 信一; 豊田 幸雄; 中島 眞人 |
| 发表日期 | 1997-08-19 |
| 专利号 | JP1997219551A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 本発明は、高速光伝送における光変調時に生じるチャーピングを低減し、かつ入力に対する出力光強度の直線性の良好な光変調器·波長変換器を実現することを目的とする。 【解決手段】 外部変調光を入射する光注入部を有する出力用半導体レーザ11を備え、出力用半導体レーザ11のチャーピングが利得飽和効果により低減されている半導体装置であり、高周波数領域でもチャーピングが小さく、リニアリティのよい光注入型超高速光変調器が得られる。この本光変調器は波長変換としての機能をも有する。 |
| 公开日期 | 1997-08-19 |
| 申请日期 | 1996-02-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77597] ![]() |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 東郷 仁麿,若林 信一,豊田 幸雄,等. 半導体装置. JP1997219551A. 1997-08-19. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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