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半導体装置

文献类型:专利

作者東郷 仁麿; 若林 信一; 豊田 幸雄; 中島 眞人
发表日期1997-08-19
专利号JP1997219551A
著作权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体装置
英文摘要【課題】 本発明は、高速光伝送における光変調時に生じるチャーピングを低減し、かつ入力に対する出力光強度の直線性の良好な光変調器·波長変換器を実現することを目的とする。 【解決手段】 外部変調光を入射する光注入部を有する出力用半導体レーザ11を備え、出力用半導体レーザ11のチャーピングが利得飽和効果により低減されている半導体装置であり、高周波数領域でもチャーピングが小さく、リニアリティのよい光注入型超高速光変調器が得られる。この本光変調器は波長変換としての機能をも有する。
公开日期1997-08-19
申请日期1996-02-14
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77597]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
東郷 仁麿,若林 信一,豊田 幸雄,等. 半導体装置. JP1997219551A. 1997-08-19.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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