半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 庄野 昌幸; 廣山 良治; 吉年 慶一 |
| 发表日期 | 1995-11-28 |
| 专利号 | JP1995312465A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 この発明は、井戸層と障壁層にそれぞれ、逆方向に加える歪量を最適なものにし、井戸層に大きな歪をかけ、レーザ特性の改善を行うことを目的とする。 【構成】 半導体基板上に形成された井戸層と障壁層を交互に積層した構造からなる量子井戸層で活性層4が構成され、この活性層4を挟むようにクラッド層3、5が設けられた半導体レーザ装置において、各井戸層の歪量を-0.8%ないし-5%、膜厚80Åないし180Åで構成し、各障壁層の歪量を+0.5%ないし+0%、膜厚20Åないし60Åで構成し、井戸層及び障壁層を2ないし4層に積層する。 |
| 公开日期 | 1995-11-28 |
| 申请日期 | 1995-03-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77605]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 庄野 昌幸,廣山 良治,吉年 慶一. 半導体レーザ装置. JP1995312465A. 1995-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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