半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 高岡 圭児; 櫛部 光弘; 阪口 眞弓; 古山 英人 |
| 发表日期 | 1994-04-08 |
| 专利号 | JP1994097603A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層への深い準位を形成する不純物の拡散を抑制することができ、かつ良質の再成長界面を形成することができ、内部量子効率の低下及びリーク電流の低減をはかり得る半導体レーザ提供すること。 【構成】 活性領域の側面を電流狭窄で埋め込んだ埋込み型半導体レーザにおいて、n型InP基板11上に形成されたn型InPクラッド層18と、このクラッド層18上にストライプ状に形成されたInGaAsP活性層17と、この活性層17の側面及び上面を覆うように形成されたp型InPクラッド層16と、クラッド層16,18を選択エッチングして形成され内部に活性層17のストライプを有するメサストライプと、このメサストライプの側面に埋め込み形成されたFeドープの高抵抗層12とを具備してなることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1994-04-08 |
| 申请日期 | 1992-09-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77610]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高岡 圭児,櫛部 光弘,阪口 眞弓,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1994097603A. 1994-04-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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