光半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐々木 達也; 山崎 裕幸 |
| 发表日期 | 1998-06-30 |
| 专利号 | JP1998178233A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 導波路領域において、導波光が高濃度のp型InP基板あるいはp型InP埋め込み層に浸み出すため、導波路領域における吸収損失が高くなってしまう。 【解決手段】 n型InP基板1上にメサ構造状に形成された活性層2及びp型InPクラッド層4を埋め込むp型InP第1埋め込み層5及びp型InP第2埋め込み層6のキャリア濃度を、p型InP第2埋め込み層6よりもp型InP第1埋め込み層5の方が高くなるように設定し、p型InP第1埋め込み層5とn型InP基板1とにより形成されるpn接合のビルトイン電圧を高くし、同時に、導波路領域における導波光が低濃度のp型InP第2埋め込み層6に浸み出させ、それにより、低コストで発光素子の高出力化及び受動導波路の低損失化を実現する。 |
| 公开日期 | 1998-06-30 |
| 申请日期 | 1996-12-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77613]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐々木 達也,山崎 裕幸. 光半導体素子及びその製造方法. JP1998178233A. 1998-06-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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