半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 国原 健二; 松原 邦雄 |
| 发表日期 | 1994-03-11 |
| 专利号 | JP1994069597A |
| 著作权人 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】活性層の上に第二クラッド層、電流狭窄層を積層したのち、電流狭窄層を選択的に除去し、露出した第二クラッド層上に第三クラッド層を成長させるとき、第二クラッド層の露出面を清浄な状態にして第二クラッド層の結晶性を良好にする。 【構成】露出した第二クラッド層の面に硫化アンモニア系のエッチング液を接触させて表面の酸化物を硫化物に置き換え、あるいは熱塩酸水溶液に接触させて塩化物に置き換え、その硫化物あるいは塩化物を飛散させれば清浄な表面が得られ、その上に成長させる第三クラッド層が良質となり、第二、第三クラッド層間の抵抗が低減する。その結果、発振しきい値電流が低下し、微分効率が向上する。 |
| 公开日期 | 1994-03-11 |
| 申请日期 | 1992-10-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77629]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 国原 健二,松原 邦雄. 半導体レーザ素子の製造方法. JP1994069597A. 1994-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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