半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 真理子; 板谷 和彦; 石川 正行; 波多腰 玄一; 渡辺 幸雄 |
| 发表日期 | 1998-07-24 |
| 专利号 | JP2807250B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | PURPOSE:To enhance an element characteristic and a yield by specifying a relationship of individual compositions of y, z of Al in a first In1-w(Ga1-yAly)wP clad layer of a second conductivity type and a second ln1-w(Ga1-zAlz)wP clad layer of the second conductivity type. CONSTITUTION:A relationship of individual compositions y, z of Al in a first In1-w(Ga1-yAly)wP clad layer 16 of a second conductivity type and a second In1-w(Ga1-zAlz)wP clad layer 17 is set to 0.6<=y |
| 公开日期 | 1998-10-08 |
| 申请日期 | 1989-02-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77632]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 真理子,板谷 和彦,石川 正行,等. 半導体レーザ装置. JP2807250B2. 1998-07-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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