半導体レ—ザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 庄野 昌幸; 廣山 良治; 吉年 慶一 |
| 发表日期 | 1999-11-30 |
| 专利号 | JP1999330636A |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 この発明は、井戸層と障壁層にそれぞれ、逆方向に加える歪量を最適なものにし、井戸層に大きな歪をかけ、レーザ特性の改善を行うことを目的とする。 【解決手段】 半導体基板上に形成された井戸層42と障壁層43の積層構造からなる量子井戸層で活性層4が構成され、この活性層4を挟むようにクラッド層3、7が設けられた半導体レーザ装置において、前記井戸層42に引っ張り歪を加え、前記障壁層43に圧縮歪を加えたことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1999-11-30 |
| 申请日期 | 1995-03-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77646]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 庄野 昌幸,廣山 良治,吉年 慶一. 半導体レ—ザ装置. JP1999330636A. 1999-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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