半導体レーザアレイ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 寺田 敏行; 鈴木 哲哉; 藤田 泰久; 藤井 智 |
| 发表日期 | 1996-09-13 |
| 专利号 | JP1996236871A |
| 著作权人 | 新日本製鐵株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザアレイ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 電気的、光学的特性が良く、かつ信頼性の高い半導体レーザアレイ及びこれを歩留まり良く製造する方法を提供する。 【構成】 各レーザ素子のレーザ発振領域直下の領域が平面状をなし、かつそれ以外の領域が基板の(111)面を表面とする斜面のみで構成されるように基板表面を異方性エッチングにより加工し、しかも互いに隣接する各レーザ素子の活性層同士が連続するように各層を形成してレーザ発振構造を形成することで、(111)面上ではクラッド層が高抵抗層となり、結晶成長前の基板に対するエッチング処理のみで各レーザ素子の電流狭窄構造が得られ、製造工数を減らせると共にドーピング、エッチング等による各層への悪影響を防止でき、電気的特性が良く信頼性の高いレーザアレイが歩留り良く製造できる。しかも、各レーザ素子の活性層同士を連続させることで光のしみだしによるカップリングが容易に可能となり、効率良くコヒーレント光が得られ、光学的特性も向上する。 |
| 公开日期 | 1996-09-13 |
| 申请日期 | 1995-02-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77663]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 新日本製鐵株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 寺田 敏行,鈴木 哲哉,藤田 泰久,等. 半導体レーザアレイ及びその製造方法. JP1996236871A. 1996-09-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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