化合物半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 辻 正芳 |
| 发表日期 | 2000-06-23 |
| 专利号 | JP2000174391A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】化合物半導体素子、及び、それらの集積素子を製造する工程において、その製造工程を簡略化、簡便化することにより、製造コストを低減することを目的とする。 【解決手段】化合物半導体素子、及び、それらの集積素子を製造する工程において、選択成長を行う際に用いるマスクとして、化合物半導体層を酸化させた層を用いる。 |
| 公开日期 | 2000-06-23 |
| 申请日期 | 1998-12-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77671]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 辻 正芳. 化合物半導体素子の製造方法. JP2000174391A. 2000-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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