半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大畑 豊治; 小川 正道; 根本 和彦 |
| 发表日期 | 1994-01-14 |
| 专利号 | JP1994005984A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 レーザ光を基板の主面に対して垂直な方向に取り出す面発光レーザにおいて、分布反射型多層膜を用いて低しきい値で且つ高出力化が可能な半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【構成】 分布反射型多層膜2を有する化合物半導体基体1上に、少なくとも活性層5及びクラッド層4、6が形成され、少なくとも活性層5の側面8A及び8Bを{110}結晶面として構成する。 |
| 公开日期 | 1994-01-14 |
| 申请日期 | 1992-09-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77677]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大畑 豊治,小川 正道,根本 和彦. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1994005984A. 1994-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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