半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 左文字 克哉 |
| 发表日期 | 2009-11-26 |
| 专利号 | JP2009277919A |
| 著作权人 | PANASONIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】ジャンクションダウン実装する際に、新たなプロセスを追加することなく、リッジ部の近傍及びその周辺部に生じる実装歪みの集中を防止できるようにする。 【解決手段】半導体レーザ装置は、基板101上に形成されたMQW活性層104と、MQW活性層104の上に形成され、リッジ部106aを有するp型クラッド層106と、リッジ部の側方に形成された誘電体膜108と、リッジ部の上に形成されたn側オーミック電極109とを有している。p型クラッド層106は、リッジ部106aとその側方部分の平坦部106bとからなり、平坦部上において該平坦部と接する誘電体膜の厚さと平坦部の厚さとの和の最大値は、リッジ部の厚さの最大値よりも大きく、誘電体膜はリッジ部の下部の側面の一部と接し、n側オーミック電極はリッジ部の上面全体及びリッジ部の上部の側面の一部と接している。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-11-26 |
| 申请日期 | 2008-05-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77689]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PANASONIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 左文字 克哉. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP2009277919A. 2009-11-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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