半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 冨士原 潔; 宇野 智昭 |
| 发表日期 | 1997-07-31 |
| 专利号 | JP1997199782A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ活性なストライプ状共振器内のキャリア密度分布を均一にし、高バイアス駆動においても利得の飽和の少なくし、高出力動作を得る。 【解決手段】 n-InP基板1上にn-InPクラッド層2、InGaAsP導波路層3と圧縮歪が導入されたInGaAsP井戸層4の5層、InGaAsPバリア層5の4層とからなり、室温でのフォトルミネッセンス波長が45μmに設定された量子井戸構造活性領域6、p-InPクラッド層7を積層させる。その後、ストライプ状共振器8を形成し、さらにp-InP電流ブロック層9、n-InP電流ブロック層10、p-InP埋め込み層11、p-InGaAsコンタクト層17を積層する。高出力化のために、出射端面に絶縁膜で低反射率コート15及び高反射率コート16を施す。誘電体膜を高反射率コートして形成される側のストライプ状共振器のストライプ幅Wa1を2μmとし、低反射率コートして形成される側のストライプ状共振器のストライプ幅Wa2を4μmに設定する。 |
| 公开日期 | 1997-07-31 |
| 申请日期 | 1996-01-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77696]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨士原 潔,宇野 智昭. 半導体レーザ. JP1997199782A. 1997-07-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。