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光半導体装置の製造方法

文献类型:专利

作者佐藤 憲史
发表日期1999-10-29
专利号JP2997147B2
著作权人日本電信電話株式会社
国家日本
文献子类授权发明
其他题名光半導体装置の製造方法
英文摘要(修正有) 【目的】 光半導体チップをサブマウントに損傷なく均一にボンディングする。 【構成】 サブマウント1と光半導体チップ3との間にスペーサ4を配置した状態で、スペーサを上方より押圧部材で押圧し、加熱してダイボンディングする。
公开日期2000-01-11
申请日期1993-03-30
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77698]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位日本電信電話株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
佐藤 憲史. 光半導体装置の製造方法. JP2997147B2. 1999-10-29.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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