光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 元田 隆; 小野 健一 |
| 发表日期 | 1998-03-24 |
| 专利号 | JP1998079554A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性層とクラッド層との間のエネルギー障壁を高くして、電子のオーバーフローをなくすこと。 【解決手段】 活性層3とp型第1上クラッド層4aとの間に、(Alx Ga(1-x) )0.5In0.5 P(x=0.7)層10aと(Alx Ga(1-x) )0.5In0.5P(x=0)層10bとを交互に積層してなる超格子障壁層10を配置するようにした。 |
| 公开日期 | 1998-03-24 |
| 申请日期 | 1996-09-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77709]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 元田 隆,小野 健一. 光半導体装置. JP1998079554A. 1998-03-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。