半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 岡崎 洋二; 福永 敏明 |
| 发表日期 | 2001-03-30 |
| 专利号 | JP2001085793A |
| 著作权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 高出力·基本モード発振し、信頼性の高い半導体レーザ装置を得る。 【解決手段】 GaN基板11上にGa1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層12、Ga1-z2Alz2N光導波層13、Ga1-z2Alz2N/GaN多重量子井戸活性層14、Ga1-z3Alz3Nキャリアブロッキング層15、i-Ga1-z2Alz2N光導波層16、Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層17、GaNコンタクト層18、100μm程度のストライプの領域が除去された絶縁膜19、p側電極20、n側電極21を形成してなる半導体レーザ24を励起光源に用い、GaN基板31上にGaN/AlN超格子分布反射膜32、GaN光閉じ込め層33、Inx2Ga1-x2N/Inx3Ga1-x3N多重量子井戸活性層34、GaN光閉じ込め層35、Alz4Ga1-z4N層36を積層し、ZrO2無反射コート膜37を形成してなる面発光型半導体素子38を励起し、共振器49により紫外〜緑色の波長帯の高出力で基本横モードのレーザ発振48を得る。 |
| 公开日期 | 2001-03-30 |
| 申请日期 | 1999-09-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77713]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岡崎 洋二,福永 敏明. 半導体レーザ装置. JP2001085793A. 2001-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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