半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 河本 滋 |
| 发表日期 | 2010-01-21 |
| 专利号 | JP2010016269A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】素子抵抗の低減、結晶歪みの抑制およびサイドリーク電流の発生抑制を実現し得る半導体発光素子を提供する。 【解決手段】半導体発光素子10Aは、下部電極層11と、下部電極層11上に形成された下部クラッド層23と、下部クラッド層23上に形成された発光層24,25,27と、電流狭窄層18A,18Bと、これら電流狭窄層18A,18B上に形成された上部クラッド層28と、上部クラッド層28上に形成された上部電極層12Aとを備える。上部クラッド層28は、方向13の分極電界を有する第1電界層286と、逆方向14の分極電界を有する第2電界層285とを含む。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2010-01-21 |
| 申请日期 | 2008-07-07 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77730]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河本 滋. 半導体発光素子. JP2010016269A. 2010-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。