半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 大場 康夫; 波多野 吾紅 |
| 发表日期 | 1995-09-26 |
| 专利号 | JP1995249820A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 GaN系材料を用いた発光層に高効率の発光センターを高密度に形成することができ、高輝度短波長を実現し得る半導体レーザを提供すること。 【構成】 3C-SiC基板31上に、n-GaNバッファ層32を介して、n-GaAlNクラッド層33,GaN発光層34及びp-GaAlNクラッド層35からなるダブルヘテロ接合構造を形成し、その上にn-GaN電流阻止層36及びp-GaNコンタクト層17を形成した半導体レーザにおいて、発光層34中にAsを添加し、この添加したAs元素が形成する等電子トラップを発光中心としたことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1995-09-26 |
| 申请日期 | 1994-03-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77744]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大場 康夫,波多野 吾紅. 半導体発光素子. JP1995249820A. 1995-09-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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