半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
文献类型：专利
| 作者 | 大▲崎▼ 裕人; 増井 浩司 |
| 发表日期 | 2004-03-25 |
| 专利号 | JP2004094144A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置 |
| 英文摘要 | 【課題】紫外線硬化型の樹脂を硬化させるために、SHG素子全体へ同時に紫外線光を照射すると、その熱によりSHG素子自身が著しく高温になり、接着樹脂が硬化する過程でSHG素子の内部に膨張収縮により応力が生じ、せっかく合わせたSHG素子の内部にある導波路と半導体レーザの光軸の位置関係がズレてしまうという課題があった。 【解決手段】本発明の光素子を精密位置決め接着固定するための製造方法は、SHG素子を半導体レーザ素子に対して位置合わせした後に、紫外線照射を入射端側と出射端側の2回に分ける、または紫外線を集光して照射範囲を狭くして入射端から出射端へ徐々に移動させることで、SHG素子が著しく高温になることを回避することにより、SHG素子内部に応力や歪みが発生せず、SHG素子と半導体レーザの位置調整した関係を保った状態で接着固定することができる。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-03-25 |
| 申请日期 | 2002-09-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77756]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大▲崎▼ 裕人,増井 浩司. 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置. JP2004094144A. 2004-03-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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