半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 黒田 尚孝; 岩田 普 |
| 发表日期 | 1996-12-05 |
| 专利号 | JP2586349B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 III -V族半導体基板上にII-VI族半導体層をエピタキシャル成長させて形成した発光素子において、積層欠陥を低減して、長寿命化を達成する。 【構成】 GaAs等からなる半導体基板400上にGaAs等からなるバッファ層401を形成し、その上にBeを含むII-VI族半導体バッファ層402を形成する。その上に、II-VI族半導体からなるクラッド層403、光ガイド層404、活性層405、光ガイド層406、クラッド層407、コンタクト層408を形成する。 【効果】 Beを含むII-VI族半導体は、イオン性が低く積層欠陥が発生し難い。この半導体をバッファ層としてIII -V族半導体と、II-VI族半導体エピ層との界面に挿入することにより、導入される欠陥を削減することができる。 |
| 公开日期 | 1997-02-26 |
| 申请日期 | 1994-11-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77776]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黒田 尚孝,岩田 普. 半導体発光素子. JP2586349B2. 1996-12-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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