半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 和田 一彦; 森本 泰司; 宮嵜 啓介; 上田 禎亮; 辰巳 正毅 |
| 发表日期 | 2009-03-27 |
| 专利号 | JP4284126B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 HF系エッチャントで容易に鏡面のAlGaAs選択エッチングを可能にする。 【解決手段】 n型GaAsバッファ層22上に先に形成する第1半導体レーザ39のn型AlGaAsクラッド層を、第2n型AlxGa1-xAs(x=0.500)クラッド層23と第1n型AlxGa1-xAs(x=0.425)クラッド層24との2層構造に成す。こうして、n型GaAsバッファ層22側に位置する第2n型クラッド層23をHFでエッチング除去する際に、第2n型クラッド層23のAl混晶比はx=0.500であるため白濁が起こらず、鏡面エッチングが可能である。また、GaAsに対して選択性があるため、n型GaAsバッファ層22でエッチングが自動的に停止する。その場合でも、AlGaAs多重量子井戸活性層25側の第1n型クラッド層24のAl混晶比はx=0.425であるため、垂直方向放射角θ⊥を36度に合わせて楕円率改善を図ることができる。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-06-24 |
| 申请日期 | 2003-07-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77778]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 和田 一彦,森本 泰司,宮嵜 啓介,等. 半導体レーザ素子. JP4284126B2. 2009-03-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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