半導体レーザ素子及びその作製方法
文献类型：专利
| 作者 | 岩井 則広; 向原 智一; 粕川 秋彦 |
| 发表日期 | 2000-05-30 |
| 专利号 | JP2000151017A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその作製方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 Al酸化層による電流狭窄構造を有し、しかもしきい値電流が低く、量子効率が高い半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 本半導体レーザ素子20は、端面発光型であって、n-InP基板21上に順次形成された、n-InPクラッド層22、SCH-MQW活性層23、下部p-InPクラッド層24、AlInAs層25、上部p-InPクラッド層26、及びp-GaInAsコンタクト層27からなる積層構造を備えている。積層構造のうち、n-InPクラッド層の上層部、活性層、下部p-InPクラッド層、AlInAs層、上部p-InPクラッド層、及びp-GaInAsコンタクト層は、ストライプ状リッジ33として形成されている。AlInAs層のリッジ側面部は、AlInAs層25中のAlが選択的に酸化されたAl酸化層28となっている。活性層の形成面では、活性層よりもバンドギャップ·エネルギーの大きい半導体層として、InP埋め込み層34が、中央領域の活性層の側縁からリッジ側面まで連続して設けられている。 |
| 公开日期 | 2000-05-30 |
| 申请日期 | 1998-11-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77787]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岩井 則広,向原 智一,粕川 秋彦. 半導体レーザ素子及びその作製方法. JP2000151017A. 2000-05-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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