半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 加藤 久弥; 久野 裕也; 冨田 一義; 加納 浩之 |
| 发表日期 | 1995-06-02 |
| 专利号 | JP1995142811A |
| 著作权人 | NIPPONDENSO CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 より簡単なプロセスにて製造できる半導体レーザ及びその製造方法を提供することにある。 【構成】 n-GaAs基板1上には、n-GaAs基板1のストライプ状の露出部を残してSiO2 層2が配置されている。SiO2 層2でのn-GaAs基板1の露出部上には単結晶積層部13が形成され、単結晶積層部13はn-GaAs基板1とSiO2 層2との間の選択成長によりn-AlGaAsクラッド層3とi-GaAs活性層4とp-AlGaAsクラッド層5とが順に積層されたものである。又、SiO2 層2上には多結晶積層部14が形成され、多結晶積層部14は前記選択成長に伴い形成されたものである。 |
| 公开日期 | 1995-06-02 |
| 申请日期 | 1993-11-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77796]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPONDENSO CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤 久弥,久野 裕也,冨田 一義,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1995142811A. 1995-06-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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