半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 古谷 章 |
| 发表日期 | 1998-06-09 |
| 专利号 | JP1998154844A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】歪みを入れた活性層の長手方向で向かい合うレーザ光の出射端面及び反射端面を有し、その出射端面に端面被覆膜を有する半導体レーザに関し、COD等の発生を抑制してより一層の高出力安定動作を達成する視角特性を改善する。 【解決手段】基板42上に形成された一導電型を有する第1のクラッド層43と、第1のクラッド層43の上に形成され、基板42との格子不整合により歪みを入れたレーザ光を発生する活性層44と、活性層44の上に形成された反対導電型を有する第2のクラッド層45と、レーザ光の出射端面CF7に形成された端面被覆膜50とを有する半導体レーザにおいて、端面被覆膜50は、活性層44に圧縮歪みを与える膜であることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1998-06-09 |
| 申请日期 | 1996-11-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77802]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古谷 章. 半導体レーザ. JP1998154844A. 1998-06-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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