半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮坂 文人 |
| 发表日期 | 1995-08-02 |
| 专利号 | JP1995073144B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 量子井戸活性層または多重量子障壁層を有するAlGaInP半導体レーザにおいて、量子井戸層、多重量子障壁層の層厚揺らぎを低減し、閾値電流の低減、信頼性の向上を図る。 【構成】 半導体基板面方位が(001)より[1,1,0]または[-1,-1,0]方向に2゜から13゜傾いた傾斜基板1を用いた量子井戸活性層3を有するAlGaInP半導体レーザのMOVPE法による製造方法において、AlGaInP結晶成長時にV族材料であるPH3を800℃以上で且つ基板に供給到達する前にクラッキングする。800℃以上でクラッキングを行うことによりPH3が分解され、Pの基板への供給量が増え、ステップバンチングが低減し、均一なステップフロー成長により量子井戸層の平坦化が可能となる。 |
| 公开日期 | 1995-08-02 |
| 申请日期 | 1993-02-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77809]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮坂 文人. 半導体レーザの製造方法. JP1995073144B2. 1995-08-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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