半導体レーザとその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 木村 達也; 松本 啓資; 武本 彰 |
| 发表日期 | 1995-01-24 |
| 专利号 | JP1995022691A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザとその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 レーザ発振に寄与しない無効電流を低減でき、レーザの特性及び信頼性の高い半導体レーザ102を得る。 【構成】 p-InP下クラッド層とn-InP上クラッド層との間にアンドープ活性層2を挟み込んでなる、(111)B面をそのメサ側面とするメサストライプ部102aを備えるとともに、該メサストライプ部102a両側のp-クラッド層1b上に、n-InP電流ブロック層14及びFeをドープした高抵抗InP層15を積層してなる光·電流閉込領域102bを備え、該光·電流閉込領域102bを、上記n-InP電流ブロック層14の(111)Bメサ側面上に位置する側端が、上記n-InP上クラッド層3aと活性層2との境界上に位置する構造とした。 |
| 公开日期 | 1995-01-24 |
| 申请日期 | 1993-06-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77814]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 木村 達也,松本 啓資,武本 彰. 半導体レーザとその製造方法. JP1995022691A. 1995-01-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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