半導体発光装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 内山 誠治 |
| 发表日期 | 1996-07-30 |
| 专利号 | JP1996195523A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 ウェットエッチング法を使用して、共振器端面を形成しうる埋め込みヘテロストライプ型半導体発光装置の製造方法に関する。 【構成】 表面がおゝむね(100)面であるGaInAsP/InP系またはGaAs/GaAlAs系レーザ用半導体積層体8に、酢酸と塩酸と過酸化水素水との混合水溶液またはブロムメタノール水溶液をエッチャントとしてなすウェットエッチング法を使用して、方向に対して約45°をなす方向にストライプ状メサ10を形成し、このメサ10を電流狭窄層14をもって埋め込み、ストライプ状メサ10に直交する方向に、酢酸と塩酸と過酸化水素水との混合水溶液またはブロムメタノール水溶液をエッチャントとしてなすウェットエッチング法を使用して、エッチングをなして、共振器を形成する埋め込みヘテロストライプ型半導体発光装置の製造方法である。 |
| 公开日期 | 1996-07-30 |
| 申请日期 | 1995-01-17 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77820]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内山 誠治. 半導体発光装置の製造方法. JP1996195523A. 1996-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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