半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 沼居 貴陽 |
| 发表日期 | 2008-09-25 |
| 专利号 | JP2008226986A |
| 著作权人 | RITSUMEIKAN |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】キンクフリーレベルを向上させ高光出力化を図ったリッジ型半導体レーザを提供する。 【解決手段】第1導電型の下部クラッド層11と、上方に突出するリッジ部12aを有する第2導電型の上部クラッド層12と、下部クラッド層11と上部クラッド層12との間に挟まれた活性層13とを第1導電型の半導体基板14上に備えるとともに、上部クラッド層12のリッジ部12aの両脇の上面側に上部電極15が形成され、半導体基板14の下面側に下部電極16が形成されている半導体レーザ10。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-09-25 |
| 申请日期 | 2007-03-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/77825]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | RITSUMEIKAN |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沼居 貴陽. 半導体レーザ. JP2008226986A. 2008-09-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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